				경북･구미 반도체특화단지 추진단 소식

제6호

제14호 2024.11.18.

	｢구미시 지역경제 활성화 정책 세미나 참석｣ 2024.11.11.(월) / 국회의원회관 제2세미나실

□ 주요 토론내용 1. 지역균형발전을 위한 국가철도망 구축 방향 및 정책제언 2. 구미시 반도체 소부장 클러스터 활성화를 위한 정책과제 논의 3. 구미시 지역산업의 현황 및 반도체 클러스터 추진동향 설명

	｢반도체 제조기술 국제학술대회 참석(KISM2024)｣ 2024.11.13.~14.(수~목) / 부산 파라다이스호텔

□ 공동주관 : 한국반도체디스플레이기술학회, 반도체・디스플레이협의체

□ 반도체산업의 제조공정 및 소재・부품・장비기술의 글로벌 경쟁력 강화를 위해 마련

□ 전 세계 10개국 800여명의 산・학・연・관 전문가들 참석

□ 반도체 기술 개발 전략과 상생 생태계 강화방안 및 기술적 방안 제시 등

	｢구미시 신산업 육성전략 수립｣연구용역 중간보고 참석｣ 2024.11.13.(수) / 구미시청 3층 국제통상협력실

□ 공급망 허브 및 첨단산업 중심 구미 (구미시 신사업 육성전략)

□ 중장기 사업 실행 로드맵 등 논의

□ 8+1 전략산업 추진 전략

	｢국가첨단 특화단지 예비타당성 기획 자료 제출｣ 2024.11.6.(수)/ KIAT(한국산업기술진흥원)

□ 국가 첨단 전력산업 특화단지 예비타당성 조사 신청 대응

- 국가첨단전략산업 특화단지 (반도체, 이차전지, 디스플레이 :7ea)

- 목적: 국가 첨단 전략산업특화단지 R&D 지원

□ 사업 추진 계획서 제출

- 목표 : 국가 반도체 소재·부품 Hub 역할 수행으로 한국형 반도체 Gumi-VC 실현

- 추진과제

: 웨이퍼 2건, 챔버 소재 부품 (1건), 테스터 베드 1건(수요조사에 따른 품목 선정)

	｢특화단지 관리카드 제출｣ 2024.11.11.(월)/ KIAT(한국산업기술진흥원)

□ 특화단지 개요 : 경북구미 반도체 특화단지

□ 산업단지별 기반시설 현황(부지, 전력, 용수, 도로, 폐수, 가스 등)

□ 지원사업 현황:

- R&D 국비지원사업(선정) :기술개발1건, 인력양성1건,

- 비R&D 국비지원사업(선정) :반도체 소재·부품 시험평가센터 구축 사업, 첨단방위산업용

시스템 반도체 부품 실증 기반구축

- 예타 면제사업(추진 중): 첨단반도체 소재·부품 Complex 구축 사업

- 지자체 지원사업: 구미 첨단반도체 연구단지 조성

				반도체(소재 부품 장비) 관련 뉴스

제14호 2024.11.18.

	｢차세대 반도체 패키징용 유리기판 소재 공정기술 동향｣ 2024.10. / KEIT

□ 개요 : 유리기판 소재 공정기술은 고성능 메모리·GPU·CPU 반도체 패키지에 필요한 대면적

구현이 가능하고 고밀도 적층을 위한 유리기판 소재 및 가공 기술이다. 플라스틱 기판에

비해 평탄도가 우수하여 미세 배선이 유리하고, 실리콘 기판에 비해 전기적 손실이 적을 뿐

아니라 열팽창계수를 최적화하여 대면적 기판에서의 신뢰성 향상이 가능한 기술이다.

□ 유리기판 소재: 미국 Corning社의 경우 붕규산(BS: Borosilicate)·알루미노규산

(AS:Alumino–silicate) 유리를 공급하고 있으며, 독일 Schott社의 경우 붕규산·

알루미노규산· 소다석회·감광성 유리와 결정화 유리 등 다양한 조성의 유리 소재를 공급하고

있다. 특히 붕규산 유리는 대표적인 저열팽창 유리 소재로서 석영 유리, 소다라임 유리 및

알루미노규산 유리 등 다른 유리 소재 대비 열팽창계수가 30~60x10−7/℃로 제어가

자유로운 동시에 주요 구성 성분이 SiO2와 B2O3로 기본적으로 저유전 특성을 지니고 있어      고집적 패키징용 핵심 소재로 사용되고 있다.

유리의 종류                                              반도체 소자별 유리기판의 형상

□ 유리기판 가공:패키지용 유리기판에 대한 홀 가공 기술은 유리 종류별로 차이가 있다.

붕규산, 알루미노규산, 소다석회(SL: Soda lime) 등에는 레이저 가공 방식을 적용하고,

감광성 결정화 유리에는 MEMS 공정과 유사하게 노광·화학 에칭 방법이 적용되고 있다.

□ 기술의 등장 배경 : 반도체 FAB 공정기술을 통한 성능 및 집적도 개선은 한계에 봉착했으며,

특히 28㎚ 이하 반도체 FAB 공정 투자 비용 증가로 인해 패키지 공정 투자가 경제적인

것으로 분석된다. 단순 미세화를 통한 반도체 성능 향상의 한계 봉착으로 FC, SiP,

FI/FO–WLP, TSV* 등 패키징 기술이 개발되었다. 저전력·고성능·소형화를 위해 미세공정의

대안으로 패키징 기술의 중요성과 고성능 패키징 기판 소재에 대한 혁신이 요구되고 있다.

반도체 패키징 트렌드

□ 기술 동향 : HPC(High performance computing)용 패키킹 기술은 시스템반도체 시장에

대한 지배력이 높은 대만 TSMC의 2.5D 방식이 주로 사 용되고 있으며, 반도체 소자

(chipset)  간 거리를 단축하여 성능을 개선 중

HPC 패키지 구조의 분류

- SKC 자회사인 Absolics(SKA)를 시작으로 삼성전기, LG이노텍 등에서 글라스 패키지 개발을 공개

했다. 2022년 SK Absolics(SKA)는 HPC용 글라스 패키지를 제안했고, 미국에 대규모 공장

건설과 국내에도 파일럿 라인을 구축하여 연구를 진행 중이며, 패키징 분야 스타트업 설계회사인

Chipletz에 투자를 진행 중이다. SKA의 패키지는 자체적으로는 1.5D로 표현하고 있으며,

글라스 내에 수동소자를 내장시키고 Chipset들을 유리판에 최대한 근접하도록 설계했다.

SKA가 제안하는 HPC용 글라스 패키지 개념도

	｢TSMC 글로벌 팹 운영현황｣ 2024.10.8.(화) / KSIA

□ 서론 시장점유율은 ‘23년 기준 파운드리 시장점유율 1위

* 파운드리 점유율(‘23, TechInsights) : (臺)TSMC 56.1%, (韓)삼성전자 13.9%,

(美)글로벌파운드리 6.0%, (臺)UMC 5.8% 등

- ‘23년 매출액은 2조 1,617억 대만$(약 90조원)로, 지역별 매출액은 미국 65%, 중국 12%,

대만 7%, 일본 6% 순으로 차지. ‘21~23년까지 반도체 설비투자(Capex)에만 약 1,000억불

(약 133조원)을 지출했으며, 현재 대만(신주·가오슝 등), 미국(애리조나), 일본(구마모토),

독일(드레스덴)에 신규 팹 건설 중.

	｢2025년 8인치 SiC 전력반도체 시장 확대｣ 2024.10.30.(수) / TrendForce

□ 서론 : 현재 8인치 기반 SiC 전력 반도체를 공급할 수 있는 곳은 Wolfspeed의 모호크밸리

공장뿐이지만, 이미 10여 개 업체가 8인치 기반 SiC 전력 반도체 공장을 건설 중이거나

건설 계획을 세우고 있어, 2025년 이후 점차 8인치SiC 파워반도체 공급이 점차

증가할 것으로 전망.

- STMicroelectronics :  2024년 5월 31일 이탈리아 카타니아에 8인치 SiC 공장을 건설.

최대 생산능력은 주당 1만5000장, 총 투자액은 약 50억 유로로 추산.

ST는중국삼안광전(三安光電)과 공동으로 중국 충칭에 8인치 SiC 파워 반도체 공장을 건설 중.

- 온세미 : 2023년 한국 부천 SiC 웨이퍼 공장 증설을 실시한다. 기술 검증을 마친 후 2025년까지

8인치 생산으로 전환할 예정이며, 이를 통해 생산 능력은 기존 대비 10배로 확대 예정.

- Infineon :  2024년 8월 8일 말레이시아 클림에 건설 중인 8인치 SiC 파워 반도체 공장            1단계가 가동에 들어가 2025년까지 대규모 생산을 시작할 예정.

- Wolfspeed : 2022년 4월 미국 뉴욕주 모호크 밸리에 세계 최초이자 최대 규모의 8인치 SiC                     공장을 설립

-로옴 : 후쿠오카현 치쿠고시에 6인치 SiC 공장을 건설하여 2022년부터 양산을 시작했으며,

2025년 까지 8인치 생산으로 전환할 예정.  2023년 7월에는 미야자키현 제2공장에서               2024년 말까지 8인치 SiC 웨이퍼를 사용한 파워 반도체를 생산할 계획을 발표.

- BOSCH : 독일 로이틀링겐에 SiC 공장을 보유하고 있으며, 2021년부터 6인치 SiC 웨이퍼 생산을

시작한다. 현재 이 공장에서는 8인치 SiC 웨이퍼 생산도 시작했다

- 미쓰비시 전기 : 2024년 5월, 구마모토현에서 추진 중인 8인치 SiC 공장을 2025년 9월에

완공하고, 생산 개시 시기를 2026년 4월에서 2025년 11월로 앞당긴다고 발표.

□ SiC 웨이퍼 가격 : 2024년 중반까지 6인치 SiC 웨이퍼 한 장당 가격은 500달러 미만(중국

내 제조 비용과 거의 동일)이 되었으며, 4분기에는 400달러 이하로 떨어질 수                  있다고 한다. 8인치 SiC 웨이퍼의 경우, 아직 많은 부분이 양산에 이르지 못했지만,

2024년에는 중국을 중심으로 가격 하락이 진행될 것으로 예상된다.

2023년 말 기준 중국 내 8인치 SiC 웨이퍼의 평균예상 가격은 장당 약                            3000~4000달러에서 2024년2분기까지 2000달러까지 하락할 것으로 예상.

2분기까지 2000달러까지 하락했다고 한다. 또한 최근 시장 가격은 1500달러 안팎까지

하락했으며, 2025년 1분기까지 1000달러까지 하락할 것으로 전망.

	｢트럼프 당선과 국내 산업 영향｣ 2024.11.6.(수) / 삼정 KPMG

□ 서론 : 반도체 보호무역주의가 전반적으로 강화될 것으로 전망되며, 특히 중국에 대한

더욱 직접적이고 확대된 범위의 규제를 내세우며 반도체 기술 패권확보에 나설 것으로 예상.

□ 대응방안 : 정책 변화를 면밀히 모니터링하고 글로벌 공급망 구축, 수출국 다변화, 가격전략

강화 등의 방안 모색이 필요.

- 대외 불활실성 확대에 대응하여 유연한 반도체 공급망 확보 노력

- 첨단 반도체 분야 경쟁력제고로 대중 규제에 따른 반사이익 기회 확보

	｢삼성 파운드리 사업 은 벼랑 끝에 서 있다｣ 2024.10.24.(목) / EE Times

□ 인텔의 위기 : 인텔의 부활의 열쇠를 쥐고 있는 것은 인텔 파운드리이며, 인텔 스스로도

인텔 18A 공정을 이용한 '제온 6'의 출하를 발표하고 있지만, 인텔의 "Launch"나

"Shipping"은 전혀 믿을 수 없다는 점(Sapphire Rapids가 그 좋은 예)과 OEM 파트너가

인텔 18A 기반의 Xeon 6를 탑재한 시스템을 전혀 발표하지 않고 있다는 점을 고려하면

아직 인텔 18A는 가시밭길이 계속되고 있다고 보는 것이 좋을 것 같다.

□ 삼성 파운드리 : 올해(2024년) 2분기 말 기준 SF3 공정의 수율이 20%를 밑돌고 있다고 한다.

삼성은 한국 평택에 P4 Fab을 건설 중이며, 미국 텍사스 주 Taylor에도 Fab을 건설 중인데,

Taylor Fab은 로직용으로 4nm~2nm 세대를 생산할 예정, P4 Fab은 DRAM과 낸드플래시

메모리, 그리고 4nm~2nm 로직 모두를  아우르는 첨단 Fab으로 계획. 당초 2024년 7월 말 까지

건물이 완공될 예정이었다.  P4 Fab에 대해서도 현재 4단계는 전혀 전망이 없고, 오히려 2단계는

뒤로 미뤄지고 3단계가 앞당겨질 것으로 예상되고 있다. 이에 따라 9월 들어 제조 장비 업체

들에게 납품을 연기하라는 통보를 한 것으로 알려짐.

□ TSMC로 갈아타는 고객 : 한국에서 AI용 프로세서를 개발하고 있는 퓨리오사AI와 DEEPX가

차세대 제품 생산을 삼성 파운드리(Samsung Foundry)에서 TSMC로 변경. FuriosaAI는 1세대

'Warboy'는 삼성의 14nm를, 2세대 'Renegade'는 TSMC N5와 CoWoS를 사용하기로 결정.

DEEPX도 컴퓨터 비전을 실행하는 1세대 DX-V1이 삼성의 28nm로 제조되고 있지만,

DX-V3가 TSMC의 12nm를 채택했다고 한다.